工作後的第一篇專利通過，來更新一下。
到今天2013/3/15為止，共發表了IEEE Regular Journal 4篇，IEEE Brief Journal 3篇，IEEE Conference paper 11篇；申請通過了美國專利4篇，台灣專利4篇。
| 期刊、會議、專利 | 篇數 | |
| Regular Journal (4) | IEEE JSSC | 2 |
| IEEE T-CAS1 | 1 | |
| IEEE T-VLSI | 1 | |
| Brief Journal (3) | IEEE T-CAS2 | 3 |
| Conference Paper (11) | IEEE ISSCC | 1 |
| IEEE ASSCC | 1 | |
| IEEE ISCAS | 4 | |
| IEEE AP-ASIC | 3 | |
| IEEE ICECS | 1 | |
| IEEE APCCAS | 1 | |
| Patent (8) | US Patent | 4 |
| Taiwan Patent | 4 |
每年在美國舊金山舉行的的IEEE國際固態電子電路會議(Internal Solid-State Circuit Conference，簡稱ISSCC)是IC設計界的最高盛會，世界ㄧ流的公司、學校都會在這發表重大的技術和研究成果。今年的ISSCC舉辦的時間在2月8日~12日，共五天。拿到剛出爐的2009年電子論文集，當然要趕緊看看有什麼與自己研究、工作相關的論文，此外，還要關心ㄧ下台灣今年的表現如何。
談完LOD Effect，就不得不再談談WPE。
在先進半導體製程中，除了LOD (Length of Diffusion) Effect外，另ㄧ個常被提到的問題就是Well Proximity Effect，簡稱WPE，中文叫"井鄰近效應"。白話ㄧ點來說，是靠近井(Well)所造成的效應。
在Introduction to LOD Effect (上)一文中，已經簡單的介紹LOD (Length of Diffusion) Effect，接著來談談如何降低LOD Effect對電路的影響。LOD Effect有兩個重要參數SA、SB，由前文得知我們可以預先估計SA、SB的長度代入模擬中，這樣就可以精確的把LOD Effect考慮進去。不過實際電路設計時，你無法很準確的估計每個Device的SA(SB)，尤其是Analog Circuit Layout上，還需考慮許多對稱的問題。所以一般我們只預估重要設計(Critical Block)裡面的SA(SB)，再利用Layout上的技巧來降低LOD Effect對電路的影響。（註一）
在先進的CMOS製程裡，LOD (Length of Diffusion) Effect將會是影響類比電路的一個重要參數。
剛好最近讀了一些有關LOD Effect的文章，發現LOD Effect的資訊幾乎都是英文的，故想用正體中文把這LOD Effect做個簡單的介紹，讓初次碰到LOD Effect的Designer可以快速進入狀況。
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